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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R1K0C3
仓库库存编号:
IPA90R1K0C3-ND
别名:IPA90R1K0C3XKSA1
SP000413712
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 2.5W(Ta),140W(Tc) TO-3P(L)
型号:
NDTL03N150CG
仓库库存编号:
NDTL03N150CGOS-ND
别名:NDTL03N150CGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 170W(Tc) TO-220
型号:
STP28N60DM2
仓库库存编号:
497-16348-5-ND
别名:497-16348-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF28N60DM2
仓库库存编号:
497-16351-5-ND
别名:497-16351-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 139W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1003RBLLG
仓库库存编号:
APT1003RBLLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 6.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7N52K3
仓库库存编号:
497-9094-5-ND
别名:497-9094-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 45W(Tc) ITO-220S
型号:
TSM10NC65CF C0G
仓库库存编号:
TSM10NC65CF C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6N62K3
仓库库存编号:
497-8450-5-ND
别名:497-8450-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP5NK60ZFP
仓库库存编号:
497-12614-5-ND
别名:497-12614-5
STP5NK60ZFP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 43A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta),43A(Tc) 3W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4126
仓库库存编号:
785-1215-1-ND
别名:785-1215-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),35A(Tc) 2.2W(Ta),30W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT8012LFG-7
仓库库存编号:
DMT8012LFG-7DICT-ND
别名:DMT8012LFG-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.6A(Ta),51A(Tc) 2.5W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB414
仓库库存编号:
785-1209-1-ND
别名:785-1209-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta),29A(Tc) 135W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD2572_F085
仓库库存编号:
FDD2572_F085CT-ND
别名:FDD2572_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N60NZ
仓库库存编号:
FDPF12N60NZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 240W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP12N60NZ
仓库库存编号:
FDP12N60NZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STDLED656
仓库库存编号:
497-13944-1-ND
别名:497-13944-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta),29A(Tc) 135W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2572
仓库库存编号:
FDB2572CT-ND
别名:FDB2572CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
STB28N60DM2
仓库库存编号:
497-16349-1-ND
别名:497-16349-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7207-30B,118
仓库库存编号:
1727-5244-1-ND
别名:1727-5244-1
568-6568-1
568-6568-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 29A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K32-100EX
仓库库存编号:
1727-2464-1-ND
别名:1727-2464-1
568-12849-1
568-12849-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK32A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK32A12N1S4X-ND
别名:TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-ND
TK32A12N1S4X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 2.7W(Ta) TO-252
型号:
DMT8012LK3-13
仓库库存编号:
DMT8012LK3-13DICT-ND
别名:DMT8012LK3-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z34STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ34NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ34NPBF-ND
别名:*IRFIZ34NPBF
SP001575796
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 83.3W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM35N10CP ROG
仓库库存编号:
TSM35N10CP ROGTR-ND
别名:TSM35N10CP ROGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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