规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IC DRIVER SPI 8CH LS 24SSOP
型号:
TLE7240SL
仓库库存编号:
TLE7240SL-ND
别名:SP000396404
TLE7240SLFUMA1
TLE7240SLXUMA2
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC DRIVER SPI 8CH LS 24SSOP
型号:
TLE7244SL
仓库库存编号:
TLE7244SL-ND
别名:SP000619872
TLE7244SLFUMA1
TLE7244SLXUMA1
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 25A 37W TO220ABFP
详细描述:IGBT Trench 600V 25A 37W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号:
IRG6IC30UPBF
仓库库存编号:
IRG6IC30UPBF-ND
别名:SP001537372
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 330V 70A 160W D2PAK
详细描述:IGBT Trench 330V 70A 160W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG6S330UPBF
仓库库存编号:
IRG6S330UPBF-ND
别名:SP001540476
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 300V 70A 160W TO220AB
详细描述:IGBT Trench 300V 70A 160W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB4086PBF
仓库库存编号:
IRGB4086PBF-ND
别名:SP001546074
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 300V 25A 43W TO220AB
详细描述:IGBT Trench 300V 25A 43W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号:
IRGI4086PBF
仓库库存编号:
IRGI4086PBF-ND
别名:SP001537744
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 300V 70A 160W D2PAK
详细描述:IGBT Trench 300V 70A 160W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS4086PBF
仓库库存编号:
IRGS4086PBF-ND
别名:SP001533990
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC DVR HIGH/LOW SIDE 14-SOIC
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-SOIC
型号:
IRS210614SPBF
仓库库存编号:
IRS210614SPBF-ND
别名:SP001548520
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 28-SOIC
型号:
IRS2330DSPBF
仓库库存编号:
IRS2330DSPBF-ND
别名:SP001534850
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 28-SOIC
型号:
IRS2330SPBF
仓库库存编号:
IRS2330SPBF-ND
别名:SP001548808
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 28-SOIC
型号:
IRS2332DSPBF
仓库库存编号:
IRS2332DSPBF-ND
别名:SP001546484
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 28-SOIC
型号:
IRS2332SPBF
仓库库存编号:
IRS2332SPBF-ND
别名:SP001542988
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
型号:
IRS26072DSPBF
仓库库存编号:
IRS26072DSPBF-ND
别名:SP001548980
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),84A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6711STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6711STR1PBFCT-ND
别名:IRF6711STR1PBFCT
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 37A(Ta),197A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6798MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6798MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6798MTR1PBFCT
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 330V 50A 114W D2PAK
详细描述:IGBT Trench 330V 50A 114W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG6S320UTRLPBF
仓库库存编号:
IRG6S320UTRLPBFCT-ND
别名:IRG6S320UTRLPBFCT
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 330V 40A 78W D2PAK
详细描述:IGBT Trench 330V 40A 78W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG7S313UTRLPBF
仓库库存编号:
IRG7S313UTRLPBFCT-ND
别名:IRG7S313UTRLPBFCT
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC DRIVER HALF BRIDGE DIP-8
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC RC Input Circuit 8-DIP
型号:
IR2151PBF
仓库库存编号:
IR2151PBF-ND
别名:SP001536730
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614
仓库库存编号:
IRF6614-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614TR1
仓库库存编号:
IRF6614TR1-ND
别名:SP001525534
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 16A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6633TR1
仓库库存编号:
IRF6633TR1-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644
仓库库存编号:
IRF6644-ND
别名:SP001574786
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644TR1
仓库库存编号:
IRF6644TR1-ND
别名:SP001561926
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.7A(Ta),25A(Tc) 3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SJ
型号:
IRF6645
仓库库存编号:
IRF6645-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6655TR1
仓库库存编号:
IRF6655TR1-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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