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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	D2PAK
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	330V
Power - Max	114W
Current - Collector (Ic) (Max)	50A
测试条件	196V，12A，10 欧姆
开关能量	-
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.65V @ 15V，24A
25°C 时 Td（开/关）值	24ns/89ns
栅极电荷	46nC
关键词

产品资料

数据列表	IRG6S320UPbF
标准包装	1
其它名称	IRG6S320UTRLPBFCT

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 D2PAK  Infineon Technologies 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V   Power - Max 114W  Infineon Technologies Power - Max 114W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 114W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 114W   Current - Collector (Ic) (Max) 50A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A   测试条件 196V，12A，10 欧姆  Infineon Technologies 测试条件 196V，12A，10 欧姆  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 196V，12A，10 欧姆  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 196V，12A，10 欧姆   开关能量 -  Infineon Technologies 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.65V @ 15V，24A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.65V @ 15V，24A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.65V @ 15V，24A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.65V @ 15V，24A   25°C 时 Td（开/关）值 24ns/89ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 24ns/89ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 24ns/89ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 24ns/89ns   栅极电荷 46nC  Infineon Technologies 栅极电荷 46nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 46nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 46nC