规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ34GPBF
仓库库存编号:
IRLIZ34GPBF-ND
别名:*IRLIZ34GPBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 150A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 326W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R6-60PSQ
仓库库存编号:
1727-1057-ND
别名:1727-1057
568-10165-5
568-10165-5-ND
934067504127
PSMN2R660PSQ
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44SPBF
仓库库存编号:
IRFZ44SPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB60NF10-1
仓库库存编号:
497-6185-5-ND
别名:497-6185-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 55V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP110N55F6
仓库库存编号:
497-13552-5-ND
别名:497-13552-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DPBF
仓库库存编号:
IRFS41N15DPBF-ND
别名:*IRFS41N15DPBF
SP001557332
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI045N10N3 G
仓库库存编号:
IPI045N10N3 G-ND
别名:IPI045N10N3G
IPI045N10N3GXKSA1
SP000482424
SP000683068
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 78.5A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP90142E_GE3
仓库库存编号:
SQP90142E_GE3-ND
别名:SQP90142E_GE3CT
SQP90142E_GE3CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3207ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB3207ZGPBF-ND
别名:SP001554560
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN4R3-80ES,127
仓库库存编号:
1727-5280-ND
别名:1727-5280
568-6708
568-6708-5
568-6708-5-ND
568-6708-ND
934065164127
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R8-40E,127
仓库库存编号:
1727-7241-ND
别名:1727-7241
568-9849-5
568-9849-5-ND
934066512127
BUK7E1R840E127
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E5R2-100E,127
仓库库存编号:
1727-7247-ND
别名:1727-7247
568-9856-5
568-9856-5-ND
934066518127
BUK7E5R2100E127
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70090E-GE3
仓库库存编号:
SUP70090E-GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R5-60PLQ
仓库库存编号:
1727-1056-ND
别名:1727-1056
568-10164-5
568-10164-5-ND
934067499127
PSMN2R560PLQ
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN4R3-100ES,127
仓库库存编号:
1727-6500-ND
别名:1727-6500
568-8596-5
568-8596-5-ND
934066116127
PSMN4R3100ES127
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP150N3LLH6
仓库库存编号:
497-9097-5-ND
别名:497-9097-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP220N06T3
仓库库存编号:
IXFP220N06T3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
40V/270A TRENCH T POWER MOSFET,
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
IXTA270N04T4-7
仓库库存编号:
IXTA270N04T4-7-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 440W(Tc) TO-263
型号:
IXFA220N06T3
仓库库存编号:
IXFA220N06T3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP150NF04
仓库库存编号:
497-10075-5-ND
别名:497-10075-5
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tj) 405W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R8-100PSEQ
仓库库存编号:
1727-2471-ND
别名:1727-2471
568-12856
568-12856-ND
934068633127
PSMN4R8-100PSEQ-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta),349A(Tc) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18536KTTT
仓库库存编号:
296-44122-1-ND
别名:296-44122-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N12T2
仓库库存编号:
IXTP110N12T2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP270N06T3
仓库库存编号:
IXFP270N06T3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA270N06T3
仓库库存编号:
IXFA270N06T3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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