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IRFB3207ZGPBF
IRFB3207ZGPBF -
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFB3207ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB3207ZGPBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRFB3207ZGPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
170nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.1 毫欧 @ 75A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6920pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
漏源电压(Vdss)
75V
关键词
产品资料
数据列表
IRFB3207ZGPBF
标准包装
50
其它名称
SP001554560
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3207PBF
仓库库存编号:
IRFB3207PBF-ND
别名:*IRFB3207PBF
SP001572410
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3207ZPBF
仓库库存编号:
IRFB3207ZPBF-ND
别名:SP001575584
无铅
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 HEXFET?
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包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 TO-220AB
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 170nC @ 10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150μA
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功率耗散(最大值) 300W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
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