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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 48A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），68A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86340ET80
  仓库库存编号：FDMC86340ET80CT-ND
  别名：FDMC86340ET80CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
  
  型号：SM8S12AHE3/2D
  仓库库存编号：SM8S12AHE3/2DGICT-ND
  别名：SM8S12AHE3/2DGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD45N10F7
  仓库库存编号：497-14532-1-ND
  别名：497-14532-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 9A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），43A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86160ET100
  仓库库存编号：FDMC86160ET100CT-ND
  别名：FDMC86160ET100CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP037N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP037N08N3 G
  IPP037N08N3 G-ND
  IPP037N08N3G
  SP000680776
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Ta） 3.8W（Ta），83W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD5670
  仓库库存编号：FDD5670CT-ND
  别名：FDD5670CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL40B215
  仓库库存编号：IRL40B215-ND
  别名：SP001558684
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5.4A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta），25A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86260ET150
  仓库库存编号：FDMC86260ET150CT-ND
  别名：FDMC86260ET150CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD100NH02LT4
  仓库库存编号：497-4100-1-ND
  别名：497-4100-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STD155N3LH6
  仓库库存编号：497-11308-1-ND
  别名：497-11308-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Skyworks Solutions Inc.
  SHUNT SERIES CONNECTED PIN DIODE
  详细描述：RF Diode PIN - Single 200V 750mW 2-QFN (2x2)
  
  型号：SMP1331-087LF
  仓库库存编号：863-1758-1-ND
  别名：863-1758-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 163W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8405
  仓库库存编号：AUIRFS8405-ND
  别名：IRAUIRFS8405
  IRAUIRFS8405-ND
  SP001522864
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD65N55F3
  仓库库存编号：497-7973-1-ND
  别名：497-7973-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 33VWM 43.5VC D2PAK
  
  型号：LDP01-33AY
  仓库库存编号：497-15295-1-ND
  别名：497-15295-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB61N15DPBF
  仓库库存编号：IRFB61N15DPBF-ND
  别名：*IRFB61N15DPBF
  SP001560242
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP030N06
  仓库库存编号：FDP030N06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3205Z
  仓库库存编号：AUIRF3205Z-ND
  别名：SP001518518
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.8W（Ta）, 120W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL100N8F7
  仓库库存编号：497-16502-1-ND
  别名：497-16502-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 96W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL120N4LF6AG
  仓库库存编号：497-16511-1-ND
  别名：497-16511-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18NF25
  仓库库存编号：497-10296-1-ND
  别名：497-10296-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD90P04-9M4L_GE3
  仓库库存编号：SQD90P04-9M4L_GE3TR-ND
  别名：SQD90P04-9M4L_GE3TR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD90P04-9M4L_GE3
  仓库库存编号：SQD90P04-9M4L_GE3CT-ND
  别名：SQD90P04-9M4L_GE3-ND
  SQD90P04-9M4L_GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.75W（Ta），166W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM40N15-38-E3
  仓库库存编号：SUM40N15-38-E3CT-ND
  别名：SUM40N15-38-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH170N8F7-2
  仓库库存编号：497-16002-1-ND
  别名：497-16002-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220
  
  型号：FDP032N08B_F102
  仓库库存编号：FDP032N08B_F102-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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