STL120N4LF6AG,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
STL120N4LF6AG
STL120N4LF6AG -
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STL120N4LF6AG
仓库库存编号:
497-16511-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 96W(Tc) PowerFlat?(5x6)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
STL120N4LF6AG产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerVDFN
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
STripFET??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerFlat?(5x6)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
40V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
80nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.6 毫欧 @ 13A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4260pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
96W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS
STL120N4LF6AG Datasheet
应用说明
AN3267 Appl Note
AN4191 Appl Note
AN4390 Appl Note
The Avalanche Issue
标准包装
1
其它名称
497-16511-1
STL120N4LF6AG您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Molex, LLC
HEADER SHRD SMT 18CKT
详细描述:18 位 接头 连接器 0.079"(2.00mm) 表面贴装 金
型号:
0878325822
仓库库存编号:
WM3967CT-ND
别名:WM3967CT
无铅
搜索
Molex, LLC
NANOFIT HDR VT SGL KNK 2CKT 15AU
详细描述:2 位 接头 连接器 0.098"(2.50mm) 通孔 金
型号:
1053091202
仓库库存编号:
WM14965-ND
别名:105309-1202
WM14965
无铅
搜索
Molex, LLC
NANOFIT HDR VT SGL KNK 4KT 15AU
详细描述:4 位 接头 连接器 0.098"(2.50mm) 通孔 金
型号:
1053091204
仓库库存编号:
WM14967-ND
别名:105309-1204
WM14967
无铅
搜索
Molex, LLC
MGRID HDR SHRD SMT /CAP 8CKT
详细描述:8 位 接头 连接器 0.079"(2.00mm) 表面贴装 金
型号:
0878325322
仓库库存编号:
WM14381CT-ND
别名:WM14381CT
无铅
搜索
Texas Instruments
IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 6SOT23
型号:
TPS22810DBVT
仓库库存编号:
296-45304-1-ND
别名:296-45304-1
无铅
搜索
STL120N4LF6AG相关搜索
封装/外壳 8-PowerVDFN
STMicroelectronics 封装/外壳 8-PowerVDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerVDFN
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 STripFET??
STMicroelectronics 系列 STripFET??
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 STripFET??
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 STripFET??
包装 剪切带(CT)
STMicroelectronics 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
STMicroelectronics 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PowerFlat?(5x6)
STMicroelectronics 供应商器件封装 PowerFlat?(5x6)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerFlat?(5x6)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerFlat?(5x6)
技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) 40V
STMicroelectronics Vgs(最大值) 40V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) 40V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V
STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 毫欧 @ 13A,10V
STMicroelectronics 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 毫欧 @ 13A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 毫欧 @ 13A,10V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.6 毫欧 @ 13A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
STMicroelectronics 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
FET 类型 N 沟道
STMicroelectronics FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
STMicroelectronics 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4260pF @ 25V
STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4260pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4260pF @ 25V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4260pF @ 25V
FET 功能 -
STMicroelectronics FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
功率耗散(最大值) 96W(Tc)
STMicroelectronics 功率耗散(最大值) 96W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 96W(Tc)
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 96W(Tc)
漏源电压(Vdss) 40V
STMicroelectronics 漏源电压(Vdss) 40V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号