品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT5010LLLG
仓库库存编号:
APT5010LLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 833W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
型号:
APT65GP60B2G
仓库库存编号:
APT65GP60B2G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 48A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT48M80L
仓库库存编号:
APT48M80L-ND
别名:APT48M80LMI
APT48M80LMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
型号:
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT45GP120B2DQ2G-ND
别名:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT60N60BCSG
仓库库存编号:
APT60N60BCSG-ND
别名:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 95A(Tc) 833W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT94N65B2C6
仓库库存编号:
APT94N65B2C6-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 128A 543W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GP120J
仓库库存编号:
APT75GP120J-ND
别名:APT75GP120JMI
APT75GP120JMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT100GT120JRDQ4
仓库库存编号:
APT100GT120JRDQ4-ND
别名:APT100GT120JRDQ4MI
APT100GT120JRDQ4MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL502LG
仓库库存编号:
APL502LG-ND
别名:APL502LGMI
APL502LGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 149A 625W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 149A 625W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT60GF120JRDQ3
仓库库存编号:
APT60GF120JRDQ3-ND
别名:APT60GF120JRDQ3MI
APT60GF120JRDQ3MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 415W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30F50B
仓库库存编号:
APT30F50B-ND
别名:APT30F50BMP
APT30F50BMP-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 521W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
型号:
APT25GR120B
仓库库存编号:
APT25GR120B-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 80A 345W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 80A 345W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT40GT60BRG
仓库库存编号:
APT40GT60BRG-ND
别名:APT40GT60BRGMI
APT40GT60BRGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 625W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole
型号:
APT50GT120B2RG
仓库库存编号:
APT50GT120B2RG-ND
别名:APT50GT120B2RGMI
APT50GT120B2RGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 140A 480W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT100GT120JU2
仓库库存编号:
APT100GT120JU2-ND
别名:APT100GT120JU2MI
APT100GT120JU2MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT85GR120J
仓库库存编号:
APT85GR120J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
型号:
MPLAD15KP100CA
仓库库存编号:
1086-7158-ND
别名:1086-7158
1086-7158-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD
型号:
MPLAD15KP78CA
仓库库存编号:
1086-7314-ND
别名:1086-7314
1086-7314-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 24.4VC PLAD
型号:
MPLAD15KP15CAE3
仓库库存编号:
1086-7199-ND
别名:1086-7199
1086-7199-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 350VWM 564VC PLAD
型号:
MPLAD30KP350A
仓库库存编号:
1086-7436-ND
别名:1086-7436
1086-7436-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 39.8VC PLAD
型号:
MPLAD30KP24CA
仓库库存编号:
1086-7406-ND
别名:1086-7406
1086-7406-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
型号:
MPLAD30KP110CA
仓库库存编号:
1086-7342-ND
别名:1086-7342
1086-7342-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 106A(Tc) 833W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT106N60B2C6
仓库库存编号:
APT106N60B2C6-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
DIODE PIN 2.5W 50V POWERMITE1
详细描述:RF Diode PIN - Single 50V 2.5W DO-216
型号:
UPP9401E3/TR7
仓库库存编号:
UPP9401E3/TR7CT-ND
别名:UPP9401E3/TR7CT
UPP9401E3CT
UPP9401E3CT-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 43VC 8SOIC
型号:
SMDA24E3/TR7
仓库库存编号:
SMDA24E3CT-ND
别名:SMDA24E3-ND
SMDA24E3CT
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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