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APT45GP120B2DQ2G - 

IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Microsemi Corporation APT45GP120B2DQ2G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号：
APT45GP120B2DQ2G-ND
描述：
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APT45GP120B2DQ2G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3 变式  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  POWER MOS 7?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  625W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  113A  
  测试条件  600V，45A，5 欧姆，15V  
  开关能量  900μJ（开），905μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  170A  
  IGBT 类型  PT  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  3.9V @ 15V，45A  
  25°C 时 Td（开/关）值  18ns/100ns  
  栅极电荷  185nC  
关键词         

产品资料
数据列表 APT45GP120B2DQ2(G)
标准包装 30
其它名称 APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND

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