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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN2119MFV(TPL3)
仓库库存编号:
RN2119MFV(TPL3)CT-ND
别名:RN2119MFV(TPL3)CT
规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K35MFV(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3K35MFV(TPL3)CT-ND
别名:SSM3K35MFV(TPL3)CT
规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1104MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1104MFVL3FCT-ND
别名:RN1104MFV(TL3T)CT
RN1104MFV(TL3T)CT-ND
RN1104MFVL3FCT
规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1117MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1117MFVL3F-ND
别名:RN1117MFVL3F
规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1103MFV(TPL3)
仓库库存编号:
RN1103MFV(TPL3)-ND
规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
型号:
DF3D6.8MFV,L3F
仓库库存编号:
DF3D6.8MFVL3F-ND
别名:DF3D6.8MFVL3F
规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1106MFV(TL3,T)
仓库库存编号:
RN1106MFV(TL3T)CT-ND
别名:RN1106MFV(TL3T)CT
规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 330mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J36MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J36MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J36MFV(TL3T)CT
SSM3J36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J36MFVL3FCT
规格:供应商器件封装 VESM,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1109MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1109MFVL3F-ND
别名:RN1109MFVL3F
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无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN2104MFV,L3F
仓库库存编号:
RN2104MFVL3F-ND
别名:RN2104MFVL3F
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