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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
型号：
DDC143EH-7
仓库库存编号：
DDC143EH-7-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
型号：
DCX114EH-7
仓库库存编号：
DCX114EH-7DICT-ND
别名：DCX114EH-7DICT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT5
型号：
FMA8AT148
仓库库存编号：
FMA8AT148CT-ND
别名：FMA8AT148CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号：
FMG1AT148
仓库库存编号：
FMG1AT148TR-ND
别名：FMG1AT148-ND
FMG1AT148TR
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号：
FMC3AT148
仓库库存编号：
FMC3AT148-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
型号：
DTB114TKT146
仓库库存编号：
DTB114TKT146-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 250MHz Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
型号：
DDTC144ELP-7
仓库库存编号：
DDTC144ELP-7-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 250MHz Surface Mount SOT-323
型号：
DDTA123EUA-7
仓库库存编号：
DDTA123EUADICT-ND
别名：DDTA123EUA7
DDTA123EUADICT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 0.03A TO-46
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 30mA 400mW Through Hole TO-46-3
型号：
2N2605
仓库库存编号：
2N2605-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 0.03A TO46
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 30mA 400mW Through Hole TO-46-3
型号：
JAN2N2605
仓库库存编号：
1086-2331-ND
别名：1086-2331
1086-2331-MIL
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 0.03A TO46
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 30mA 400mW Through Hole TO-46-3
型号：
JANTXV2N2605
仓库库存编号：
1086-3059-ND
别名：1086-3059
1086-3059-MIL
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR119E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR119E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 119 E6327
BCR 119 E6327-ND
BCR119E6327BTSA1
BCR119E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR119E6327XT
SP000010752
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR129E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR129E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 129 E6327
BCR 129 E6327-ND
BCR129E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR129E6327XT
SP000012520
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR162E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR162E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 162 E6327
BCR 162 E6327-ND
BCR162E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR162E6327XT
SP000010785
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR169E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR169E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 169 E6327
BCR 169 E6327-ND
BCR169E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR169E6327XT
SP000010793
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR192E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR192E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 192 E6327
BCR 192 E6327-ND
BCR192E6327XT
SP000010812
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR196E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR196E6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 196 E6327
BCR 196 E6327-ND
BCR196E6327XT
SP000014762
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR146E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR146E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 146 E6327CT
BCR 146 E6327CT-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR185E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR185E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 185 E6327CT
BCR 185 E6327CT-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR191E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR191E6327HTSA1CT-ND
别名：BCR 191 E6327CT
BCR 191 E6327CT-ND
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR108WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR108WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 108W H6327
BCR 108W H6327-ND
SP000750780
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR108WH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR108WH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 108W H6433
BCR 108W H6433-ND
SP000757882
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR112WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR112WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 112W H6327
BCR 112W H6327-ND
SP000750790
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR116WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR116WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 116W H6327
BCR 116W H6327-ND
BCR116WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000754072
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR119WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR119WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 119W H6327
BCR 119W H6327-ND
BCR119WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000755044
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA,
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