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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	PG-SOT23-3
晶体管类型	PNP - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 5mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	200mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	200MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	-
关键词

产品资料

数据列表	BCR169
标准包装	36,000
其它名称	BCR 169 E6327 BCR 169 E6327-ND BCR169E6327HTSA1TR-NDTR-ND BCR169E6327XT SP000010793

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 上次购买时间  Infineon Technologies 零件状态 上次购买时间  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 上次购买时间  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 PG-SOT23-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 PG-SOT23-3  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 PG-SOT23-3   晶体管类型 PNP - 预偏压  Infineon Technologies 晶体管类型 PNP - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 5mA，5V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 5mA，5V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 5mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 200mW  Infineon Technologies Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 200mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Infineon Technologies 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Infineon Technologies 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 200MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 200MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 200MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Infineon Technologies 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Infineon Technologies 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -