规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
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Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50MHz Through Hole TO-18
型号:
BCX23
仓库库存编号:
BCX23-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
搜索
Diodes Incorporated
TRANS NPN 100V 0.5A E-LINE
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 40MHz Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
型号:
ZTX415STZ
仓库库存编号:
ZTX415STZ-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 40V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JAN2N4237
仓库库存编号:
1086-20969-ND
别名:1086-20969
1086-20969-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JAN2N4238
仓库库存编号:
1086-20972-ND
别名:1086-20972
1086-20972-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JAN2N4239
仓库库存编号:
1086-20975-ND
别名:1086-20975
1086-20975-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 40V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JANTX2N4237
仓库库存编号:
1086-20970-ND
别名:1086-20970
1086-20970-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JANTX2N4238
仓库库存编号:
1086-20973-ND
别名:1086-20973
1086-20973-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JANTX2N4239
仓库库存编号:
1086-20976-ND
别名:1086-20976
1086-20976-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 40V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JANTXV2N4237
仓库库存编号:
1086-20971-ND
别名:1086-20971
1086-20971-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JANTXV2N4238
仓库库存编号:
1086-20974-ND
别名:1086-20974
1086-20974-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 1A TO39
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号:
JANTXV2N4239
仓库库存编号:
1086-20977-ND
别名:1086-20977
1086-20977-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS NPN HV CHIP FORM
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA Surface Mount Die
型号:
CP310-MPSA42-CT
仓库库存编号:
CP310-MPSA42-CT-ND
别名:CP310MPSA42CT
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR119E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR119E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 119 E6327
BCR 119 E6327-ND
BCR119E6327BTSA1
BCR119E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR119E6327XT
SP000010752
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR129E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR129E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 129 E6327
BCR 129 E6327-ND
BCR129E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR129E6327XT
SP000012520
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR162E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR162E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 162 E6327
BCR 162 E6327-ND
BCR162E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR162E6327XT
SP000010785
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR169E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR169E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 169 E6327
BCR 169 E6327-ND
BCR169E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR169E6327XT
SP000010793
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR192E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR192E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 192 E6327
BCR 192 E6327-ND
BCR192E6327XT
SP000010812
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR196E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR196E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 196 E6327
BCR 196 E6327-ND
BCR196E6327XT
SP000014762
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR146E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR146E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR 146 E6327CT
BCR 146 E6327CT-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR185E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR185E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR 185 E6327CT
BCR 185 E6327CT-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR191E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR191E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR 191 E6327CT
BCR 191 E6327CT-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR108WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR108WH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 108W H6327
BCR 108W H6327-ND
SP000750780
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR108WH6433XTMA1
仓库库存编号:
BCR108WH6433XTMA1TR-ND
别名:BCR 108W H6433
BCR 108W H6433-ND
SP000757882
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR112WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR112WH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 112W H6327
BCR 112W H6327-ND
SP000750790
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR116WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR116WH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 116W H6327
BCR 116W H6327-ND
BCR116WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000754072
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO),
无铅
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