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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V S308
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ0901NS
  仓库库存编号：BSZ0901NSCT-ND
  别名：BSZ0901NSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 1.56W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO130P03S H
  仓库库存编号：BSO130P03S HCT-ND
  别名：BSO130P03S HCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN2R703NL,L1Q
  仓库库存编号：TPN2R703NLL1QCT-ND
  别名：TPN2R703NL,L1QCT
  TPN2R703NL,L1QCT-ND
  TPN2R703NLL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），70A（Tc） 2.8W（Ta），28W（Tc） 8-HSO
  
  型号：SK8603160L
  仓库库存编号：P16268CT-ND
  别名：P16268CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），104A（Tc） 3.4W（Ta） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH7932TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7932TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7932TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8854
  仓库库存编号：FDMC8854CT-ND
  别名：FDMC8854CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR788DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR788DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR788DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS090N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS090N03FU6TBCT-ND
  别名：RSS090N03TBCT
  RSS090N03TBCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ790DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ790DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ790DT-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR164DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR164DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR164DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N03MS G
  仓库库存编号：BSC014N03MS GCT-ND
  别名：BSC014N03MS GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3686S
  仓库库存编号：FDMS3686SCT-ND
  别名：FDMS3686SCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK（3）
  
  型号：RJK0391DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0391DPA-00#J5ACT-ND
  别名：RJK0391DPA-00#J5ACT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET 2N-CH 30V 16A/46A 8-HSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 16A, 46A 1.7W, 2.5W Surface Mount 8-HSO
  
  型号：SC8673040L
  仓库库存编号：P16273CT-ND
  别名：P16273CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL2203NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL2203NSTRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
  
  型号：ZXMD63P03XTA
  仓库库存编号：ZXMD63P03XCT-ND
  别名：ZXMD63P03X
  ZXMD63P03XCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 210A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3703PBF
  仓库库存编号：IRF3703PBF-ND
  别名：*IRF3703PBF
  SP001574662
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 500mW（Ta） CST3C
  
  型号：SSM3K15ACTC,L3F
  仓库库存编号：SSM3K15ACTCL3FCT-ND
  别名：SSM3K15ACTCL3FCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN63D8LW-7
  仓库库存编号：DMN63D8LW-7DICT-ND
  别名：DMN63D8LW-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 410mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ1200UPEYL
  仓库库存编号：1727-2315-1-ND
  别名：1727-2315-1
  568-12601-1
  568-12601-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 410mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB1200UPEYL
  仓库库存编号：1727-2325-1-ND
  别名：1727-2325-1
  568-12611-1
  568-12611-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：2SK3018-TP
  仓库库存编号：2SK3018-TPMSCT-ND
  别名：2SK3018-TPMSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ200UNEYL
  仓库库存编号：1727-2317-1-ND
  别名：1727-2317-1
  568-12603-1
  568-12603-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 100mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP
  
  型号：3LP01M-TL-H
  仓库库存编号：3LP01M-TL-HOSCT-ND
  别名：3LP01M-TL-HOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 0.4A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 400mA（Ta） 500mW（Ta） X1-DFN1006-3
  
  型号：DMP32D5SFB-7B
  仓库库存编号：DMP32D5SFB-7BDICT-ND
  别名：DMP32D5SFB-7BDICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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