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产品规格

封装/外壳	8-PowerSMD，扁平引线
制造商	Panasonic Electronic Components
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-HSO
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	6.3nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	10 毫欧 @ 8A，10V
FET 类型	2 N 沟道（双）非对称型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	16A，46A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1092pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 5.85mA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	1.7W，2.5W
关键词

产品资料

数据列表	SC8673040L Datasheet
标准包装	1
其它名称	P16273CT

封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线  Panasonic Electronic Components 封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线   制造商 Panasonic Electronic Components  Panasonic Electronic Components 制造商 Panasonic Electronic Components  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Panasonic Electronic Components  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Panasonic Electronic Components   安装类型 表面贴装  Panasonic Electronic Components 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Panasonic Electronic Components 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Panasonic Electronic Components 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Panasonic Electronic Components 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Panasonic Electronic Components 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-HSO  Panasonic Electronic Components 供应商器件封装 8-HSO  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-HSO  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-HSO   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 4.5V  Panasonic Electronic Components 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 4.5V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 8A，10V  Panasonic Electronic Components 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 8A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 8A，10V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 8A，10V   FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Panasonic Electronic Components FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A，46A  Panasonic Electronic Components 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A，46A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A，46A  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A，46A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1092pF @ 10V  Panasonic Electronic Components 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1092pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1092pF @ 10V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1092pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Panasonic Electronic Components FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 5.85mA  Panasonic Electronic Components 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 5.85mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 5.85mA  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 5.85mA   漏源电压（Vdss） 30V  Panasonic Electronic Components 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 1.7W，2.5W  Panasonic Electronic Components 功率 - 最大值 1.7W，2.5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.7W，2.5W  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.7W，2.5W