规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta) 15W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2175H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2175H-EL-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76609D3ST
仓库库存编号:
HUFA76609D3STCT-ND
别名:HUFA76609D3STCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 320A(Tc) 680W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN320N10T
仓库库存编号:
IXTN320N10T-ND
别名:IXTH320N10T
Q3347867
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM70-01P2
仓库库存编号:
GWM70-01P2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 120W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC110N10P
仓库库存编号:
IXFC110N10P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 110A(Tc) 480W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV110N10P
仓库库存编号:
IXFV110N10P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 110A(Tc) 480W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV110N10PS
仓库库存编号:
IXFV110N10PS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 230W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA80N10T7
仓库库存编号:
IXTA80N10T7-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 83A(Tc) 140W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC160N10T
仓库库存编号:
IXTC160N10T-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 90A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC180N10T
仓库库存编号:
IXTC180N10T-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 101A(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC200N10T
仓库库存编号:
IXTC200N10T-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 250A(Tc) 730W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK250N10
仓库库存编号:
IXTK250N10-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 44A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 100V 44A(Tc) TO-251
型号:
IXTU44N10T
仓库库存编号:
IXTU44N10T-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV200N10T
仓库库存编号:
IXTV200N10T-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV200N10TS
仓库库存编号:
IXTV200N10TS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 280A(Tc) 770W(Tc) SOT-227B
型号:
IXUN280N10
仓库库存编号:
IXUN280N10-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1000A Chassis Mount Y3-Li
型号:
VMM1000-01P
仓库库存编号:
VMM1000-01P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 165A(Tc) 400W(Tc) ECO-PAC2
型号:
VMO150-01P1
仓库库存编号:
VMO150-01P1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK
型号:
VWM200-01P
仓库库存编号:
VWM200-01P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4484EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4484EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4484EY-T1-E3CT
SI4484EYT1E3
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.4A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4486EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4486EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4486EY-T1-E3CT
SI4486EYT1E3
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 3.75W(Ta),107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM40N10-30-E3
仓库库存编号:
SUM40N10-30-E3CT-ND
别名:SUM40N10-30-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 3.75W(Ta),136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM47N10-24L-E3
仓库库存编号:
SUM47N10-24L-E3CT-ND
别名:SUM47N10-24L-E3CT
SUM47N1024LE3
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 350A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXUN350N10
仓库库存编号:
IXUN350N10-ND
别名:Q3672970
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6600N-1G
仓库库存编号:
NTD6600N-1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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