VWM200-01P,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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VWM200-01P - 

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

  • 已过时的产品。
IXYS VWM200-01P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
VWM200-01P
仓库库存编号:
VWM200-01P-ND
描述:
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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VWM200-01P产品属性


产品规格
  封装/外壳  V2-PAK  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  V2-PAK  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  430nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  5.2 毫欧 @ 100A,10V  
  FET 类型  6 N-沟道(3 相桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  210A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 2mA  
  漏源电压(Vdss)  100V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
标准包装 5

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