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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 860A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 860A（Tc） 2500W（Tc） SP6
  
  型号：APTM10UM01FAG
  仓库库存编号：APTM10UM01FAG-ND
  别名：APTM10UM01FAGMI
  APTM10UM01FAGMI-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN10A11KTC
  仓库库存编号：ZXMN10A11KTCCT-ND
  别名：ZXMN10A11KTCCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC252N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC252N10NSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC252N10NSF GCT
  BSC252N10NSF GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGATMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10NGATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9120TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR9120TRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7452TRPBF
  仓库库存编号：IRF7452PBFCT-ND
  别名：*IRF7452TRPBF
  IRF7452PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP405-TL-H
  仓库库存编号：869-1088-1-ND
  别名：869-1088-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU120NPBF
  仓库库存编号：IRFU120NPBF-ND
  别名：*IRFU120NPBF
  SP001557678
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP14NF10
  仓库库存编号：497-7506-5-ND
  别名：497-7506-5
  STP14NF10-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5410PBF
  仓库库存编号：IRFU5410PBF-ND
  别名：*IRFU5410PBF
  SP001557796
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3410PBF
  仓库库存编号：IRFU3410PBF-ND
  别名：*IRFU3410PBF
  SP001578398
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540ZLPBF
  仓库库存编号：IRF540ZLPBF-ND
  别名：*IRF540ZLPBF
  SP001559652
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4510PBF
  仓库库存编号：IRFB4510PBF-ND
  别名：SP001566724
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75631S3ST
  仓库库存编号：HUF75631S3STFSCT-ND
  别名：HUF75631S3STFSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 37.5W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA086N10N3 G
  仓库库存编号：IPA086N10N3 G-ND
  别名：IPA086N10N3G
  IPA086N10N3GXKSA1
  SP000485984
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP70N10S312AKSA1
  仓库库存编号：IPP70N10S312AKSA1-ND
  别名：IPP70N10S3-12
  IPP70N10S3-12-ND
  IPP70N10S312
  SP000407122
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4410PBF
  仓库库存编号：IRFB4410PBF-ND
  别名：*IRFB4410PBF
  SP001556060
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 97A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4410ZPBF
  仓库库存编号：IRFSL4410ZPBF-ND
  别名：SP001557638
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190A（Tc） 370W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRLS4030TRL7PP
  仓库库存编号：IRLS4030TRL7PPCT-ND
  别名：IRLS4030TRL7PPCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP054N10
  仓库库存编号：FDP054N10-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4110GPBF
  仓库库存编号：IRFB4110GPBF-ND
  别名：SP001556050
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 370W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLSL4030PBF
  仓库库存编号：IRLSL4030PBF-ND
  别名：SP001558626
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Tc） 60W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y102-100B,115
  仓库库存编号：1727-4603-1-ND
  别名：1727-4603-1
  568-5513-1
  568-5513-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN10H170SVTQ-7
  仓库库存编号：DMN10H170SVTQ-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SVTQ-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Tc） 37.3W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y153-100EX
  仓库库存编号：1727-1802-1-ND
  别名：1727-1802-1
  568-11416-1
  568-11416-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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