规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA15N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA15N60E-E3-ND
别名:SIHA15N60E-E3CT
SIHA15N60E-E3CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF15N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF15N65E-GE3-ND
别名:SIHF15N65E-GE3CT
SIHF15N65E-GE3CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114652
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 34W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF7S60L
仓库库存编号:
785-1521-5-ND
别名:AOTF7S60L-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA18N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA18N60E-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB15N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB15N65E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R190CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R190CEXKSA1-ND
别名:SP001391612
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 10.8A(Ta) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R460CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R460CEXKSA2-ND
别名:SP001313396
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA11N80C3XKSA2
仓库库存编号:
SPA11N80C3XKSA2-ND
别名:SP000216321
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA16N50C3
仓库库存编号:
SPA16N50C3IN-ND
别名:SP000216351
SPA16N50C3IN
SPA16N50C3X
SPA16N50C3XK
SPA16N50C3XKSA1
SPA16N50C3XTIN
SPA16N50C3XTIN-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名:IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名:IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA15N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA15N65C3XKSA1-ND
别名:SP000293730
SPA15N65C3
SPA15N65C3-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R165CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R165CPXKSA1-ND
别名:IPA60R165CP
IPA60R165CP-ND
SP000096437
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080126
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385002
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080114
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 34W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N60
仓库库存编号:
FQPF3N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 46A(Tc) 34W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN9R0-25YLC,115
仓库库存编号:
568-7592-1-ND
别名:568-7592-1
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEBTMA1CT
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEIN-ND
IPD50R950CEINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R950CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R950CEBKMA1-ND
别名:IPU50R950CE
IPU50R950CE-ND
SP001022956
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R460CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R460CEXKSA1-ND
别名:SP001271070
规格:功率耗散(最大值) 34W(Tc),
无铅
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