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IPA80R460CEXKSA1 - 

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

  • 不再生产的版本 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies IPA80R460CEXKSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPA80R460CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R460CEXKSA1-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 800V 5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPA80R460CEXKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  CoolMOS? CE  
  包装  管件   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-TO220 整包  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  64nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  460 毫欧 @ 7.1A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  5A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1600pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.9V @ 680μA  
  功率耗散(最大值)  34W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  800V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPA80R460CE
标准包装 500
其它名称 SP001271070

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