品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP040N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP040N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPD038N06N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3-03
仓库库存编号:
IPB80N04S303ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S3-03CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP076N12N3 G
仓库库存编号:
IPP076N12N3 G-ND
别名:IPP076N12N3G
IPP076N12N3GXKSA1
SP000652736
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI040N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI040N06N3GXKSA1-ND
别名:SP000680656
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP032N06N3 G
IPP032N06N3 G-ND
IPP032N06N3G
SP000680770
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名:SP000680650
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S401ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S401ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB037N06N3 G
仓库库存编号:
IPB037N06N3 GCT-ND
别名:IPB037N06N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB029N06N3 G
仓库库存编号:
IPB029N06N3 GCT-ND
别名:IPB029N06N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N03S4L01ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N03S4L01ATMA1TR-ND
别名:IPB180N03S4L-01
IPB180N03S4L-01-ND
SP000555002
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S303AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-03
IPI80N04S3-03-ND
SP000261238
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4L01ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4L01ATMA1-ND
别名:SP000979928
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 250A(Tc) 188W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPLU250N04S41R7XTMA1
仓库库存编号:
IPLU250N04S41R7XTMA1-ND
别名:SP001121552
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S303AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-03
IPP80N04S3-03-ND
IPP80N04S303
SP000261229
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S401AKSA1-ND
别名:IPP120N04S4-01
IPP120N04S4-01-ND
SP000705704
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA2-ND
别名:SP001028776
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028778
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S402AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-02
IPI120N06S4-02-ND
SP000415622
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI076N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI076N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 10V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP039N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP039N10N5AKSA1-ND
别名:SP001602186
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-04
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-04-ND
别名:SP000013901
SPB80N03S2L04T
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 188W(Tc),
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