IPB180N04S401ATMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
IPB180N04S401ATMA1
IPB180N04S401ATMA1 -
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IPB180N04S401ATMA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
OptiMOS??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PG-TO263-7-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
176nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.3 毫欧 @ 100A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
180A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
14000pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 140μA
功率耗散(最大值)
188W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
IPB180N04S4-01
标准包装
1
其它名称
IPB180N04S401ATMA1CT
IPB180N04S401ATMA1您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
别名:IPB180P04P4L02ATMA1CT
无铅
搜索
IPB180N04S401ATMA1相关搜索
封装/外壳 TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 OptiMOS??
Infineon Technologies 系列 OptiMOS??
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 OptiMOS??
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 OptiMOS??
包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PG-TO263-7-3
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-7-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-7-3
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO263-7-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 176nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 100A,10V
Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 100A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 100A,10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.3 毫欧 @ 100A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Infineon Technologies 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc)
Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V
FET 功能 -
Infineon Technologies FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 140μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 140μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 140μA
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 140μA
功率耗散(最大值) 188W(Tc)
Infineon Technologies 功率耗散(最大值) 188W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 188W(Tc)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 188W(Tc)
漏源电压(Vdss) 40V
Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 40V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号