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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N60
  仓库库存编号：FQPF5N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N20TF
  仓库库存编号：FDD6N20TFCT-ND
  别名：FDD6N20TFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 250mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXCP01N90E
  仓库库存编号：IXCP01N90E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 250mA（Tc） 40W（Tc） TO-252
  
  型号：IXCY01N90E
  仓库库存编号：IXCY01N90E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX060N60FU6
  仓库库存编号：RDX060N60FU6-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50FTF_WS
  仓库库存编号：FDD5N50FTF_WS-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50TF_WS
  仓库库存编号：FDD5N50TF_WS-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50UTF_WS
  仓库库存编号：FDD5N50UTF_WS-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 40W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF18N20V2YDTU
  仓库库存编号：FQPF18N20V2YDTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 530V 4A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N53TM_WS
  仓库库存编号：FDD5N53TM_WS-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 14A（Ta） 40W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SJ304(F)
  仓库库存编号：2SJ304(F)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 1A DP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1A（Ta） 40W（Tc） DP
  
  型号：2SK2845(TE16L1,Q)
  仓库库存编号：2SK2845(TE16L1,Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK3313(Q)
  仓库库存编号：2SK3313(Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 33A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5806NT4G
  仓库库存编号：NTD5806NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5806NT4GOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN120N25FU6
  仓库库存编号：RDN120N25FU6-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP102-TL-H
  仓库库存编号：869-1073-1-ND
  别名：869-1073-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 40W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF8N50L-E3
  仓库库存编号：SIHF8N50L-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 35A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP216-TL-H
  仓库库存编号：ATP216-TL-H-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W5,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60W5S4VX-ND
  别名：TK16A60W5S4VX
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM4NC60CI C0G
  仓库库存编号：TSM4NC60CI C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Tc） 40W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM6NB60CZ C0G
  仓库库存编号：TSM6NB60CZ C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM7N65ACI C0G
  仓库库存编号：TSM7N65ACI C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 8A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM8N70CI C0G
  仓库库存编号：TSM8N70CI C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9120N
  仓库库存编号：IRFU9120N-ND
  别名：*IRFU9120N
  SP001573590
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NTRL
  仓库库存编号：IRFR9120NTRL-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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  含铅
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