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RDX060N60FU6 - 

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

  • 已过时的产品。
Rohm Semiconductor RDX060N60FU6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
RDX060N60FU6
仓库库存编号:
RDX060N60FU6-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 6A(Ta) 40W(Tc) TO-220FM
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RDX060N60FU6产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-2 整包  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-220FM  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  25nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.2 欧姆 @ 3A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  950pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  40W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
标准包装 500

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