规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(68)
分立半导体产品
(68)
筛选品牌
GeneSiC Semiconductor (1)
Infineon Technologies (38)
IXYS (5)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
STMicroelectronics (19)
Vishay Siliconix (2)
Cree/Wolfspeed (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 330W(Tc) I2PAK
型号:
STI200N6F3
仓库库存编号:
STI200N6F3-ND
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 105A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 100V 105A(Tc) 330W(Tc) TO-3P
型号:
FQA90N10V2
仓库库存编号:
FQA90N10V2-ND
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP21N60L
仓库库存编号:
IRFP21N60L-ND
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 174A(Tc) 330W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA1405P
仓库库存编号:
IRFBA1405P-ND
别名:*IRFBA1405P
Q1429145
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2804
仓库库存编号:
IRF2804-ND
别名:*IRF2804
SP001569996
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRL
仓库库存编号:
IRF2804STRL-ND
别名:SP001555150
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRR
仓库库存编号:
IRF2804STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3305
仓库库存编号:
IRF3305-ND
别名:*IRF3305
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 330W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF2804STRL-7P
仓库库存编号:
IRF2804STRL-7P-ND
别名:*IRF2804S-7P
IRF2804S-7P
IRF2804S-7P-ND
SP001564686
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 180A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3207
仓库库存编号:
IRFSL3207-ND
别名:*IRFSL3207
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3805
仓库库存编号:
IRF3805-ND
别名:*IRF3805
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3805S
仓库库存编号:
IRF3805S-ND
别名:*IRF3805S
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3305PBF
仓库库存编号:
IRF3305PBF-ND
别名:*IRF3305PBF
AUXNSF3305
AUXNSF3305-ND
SP001576766
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 83A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4228PBF
仓库库存编号:
IRFSL4228PBF-ND
别名:SP001567954
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 62A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4227PBF
仓库库存编号:
IRFSL4227PBF-ND
别名:SP001576148
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 83A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4321GPBF
仓库库存编号:
IRFB4321GPBF-ND
别名:SP001556020
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 45A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4229PBF
仓库库存编号:
IRFSL4229PBF-ND
别名:SP001567750
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 83A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4228TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4228TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4228TRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 330W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号