规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 14A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
STI15NM60ND
仓库库存编号:
STI15NM60ND-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW22NM60N
仓库库存编号:
497-10998-5-ND
别名:497-10998-5
STW22NM60N-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 78A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
STD78N75F4
仓库库存编号:
497-10410-1-ND
别名:497-10410-1
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
STP20NM65N
仓库库存编号:
497-11872-5-ND
别名:497-11872-5
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840
仓库库存编号:
IRF840IR-ND
别名:*IRF840
IRF840IR
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740
仓库库存编号:
IRF740IR-ND
别名:*IRF740
IRF740IR
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9640
仓库库存编号:
IRF9640-ND
别名:*IRF9640
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30
仓库库存编号:
IRFPE30-ND
别名:*IRFPE30
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF30
仓库库存编号:
IRFPF30-ND
别名:*IRFPF30
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG30
仓库库存编号:
IRFPG30-ND
别名:*IRFPG30
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30
仓库库存编号:
IRFBE30-ND
别名:*IRFBE30
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG30
仓库库存编号:
IRFBG30-ND
别名:*IRFBG30
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF644
仓库库存编号:
IRF644-ND
别名:*IRF644
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740A
仓库库存编号:
IRF740A-ND
别名:*IRF740A
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF744
仓库库存编号:
IRF744-ND
别名:*IRF744
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840A
仓库库存编号:
IRF840A-ND
别名:*IRF840A
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF840L
仓库库存编号:
IRF840L-ND
别名:*IRF840L
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40
仓库库存编号:
IRFBC40-ND
别名:*IRFBC40
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40A
仓库库存编号:
IRFBC40A-ND
别名:*IRFBC40A
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40AS
仓库库存编号:
IRFBC40AS-ND
别名:*IRFBC40AS
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL640
仓库库存编号:
IRL640-ND
别名:*IRL640
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740LC
仓库库存编号:
IRF740LC-ND
别名:*IRF740LC
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRR
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IRFBC40ASTRR-ND
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MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40LCL
仓库库存编号:
IRFBC40LCL-ND
别名:*IRFBC40LCL
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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