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IRF644
IRF644 -
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
IRF644
仓库库存编号:
IRF644-ND
描述:
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF644产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
68nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 8.4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1300pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
漏源电压(Vdss)
250V
关键词
产品资料
数据列表
IRF644
Packaging Information
标准包装
1,000
其它名称
*IRF644
IRF644ROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF644PBF
仓库库存编号:
IRF644PBF-ND
别名:*IRF644PBF
无铅
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MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF644PBF
仓库库存编号:
IRF644PBF-ND
别名:*IRF644PBF
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详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
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仓库库存编号:
IRF644SPBF-ND
别名:*IRF644SPBF
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:FDB14N30TMCT
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制造商 Vishay Siliconix
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安装类型 通孔
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功率耗散(最大值) 125W(Tc)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 125W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
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