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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7114DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7114DN-T1-GE3DKR-ND
别名:SI7114DN-T1-GE3DKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7230DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7230DN-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7230DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7230DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7421DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7421DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7806ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7806ADN-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN6A25N8TA
仓库库存编号:
ZXMN6A25N8TADI-ND
别名:ZXMN6A25N8TADI
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 33V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 33V 80A(Tc) 115W(Tc) TO-220
型号:
AOT500
仓库库存编号:
AOT500-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Ta) 2.3W PowerDI5060-8
型号:
DMT4002LPS-13
仓库库存编号:
DMT4002LPS-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4430BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4430BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4430BDY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 38A(Tc) 94W(Tc) Power56
型号:
FDMS36101L_F085
仓库库存编号:
FDMS36101L_F085CT-ND
别名:FDMS36101L_F085CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18.2A(Tc) 3W(Ta),5.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4686DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4686DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4686DY-T1-GE3TR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Ta),33A(Ta) 3.6W(Ta),62W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B25NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B25NLWFT1G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7892BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7892BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7892BDP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7423DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7423DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5116PLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5116PLWFTWG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7923DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7923DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7923DN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
HUFA76407DK8T_F085
仓库库存编号:
HUFA76407DK8T_F085-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO
型号:
SI4384DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4384DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7214DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7214DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 24A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7218DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7218DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.8A(Ta) 10.1W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
ZXMN6A09KQTC
仓库库存编号:
ZXMN6A09KQTC-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
25V SYMMETRIC DUAL N-CHANNEL MOS
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 74A 26W Surface Mount 12-PQFN (3.3x3.3)
型号:
FDPC3D5N025X9D
仓库库存编号:
FDPC3D5N025X9D-ND
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN5045-
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 14.8A (Ta) Surface Mount V-DFN5045-12
型号:
DMHT6016LFJ-13
仓库库存编号:
DMHT6016LFJ-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
HUFA76413DK8T_F085
仓库库存编号:
HUFA76413DK8T_F085-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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