HUFA76413DK8T_F085,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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HUFA76413DK8T_F085 - 

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Fairchild/ON Semiconductor HUFA76413DK8T_F085
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HUFA76413DK8T_F085
仓库库存编号:
HUFA76413DK8T_F085-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HUFA76413DK8T_F085产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  汽车级, AEC-Q101, UltraFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  23nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  49 毫欧 @ 5.1A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  5.1A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  620pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  60V  
  功率 - 最大值  2.5W  
关键词         

产品资料
数据列表 HUFA76413DK8T_F085
标准包装 2,500

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