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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TR
仓库库存编号:
IRF7201TR-ND
别名:SP001564746
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7316TR
仓库库存编号:
IRF7316TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7321D2
仓库库存编号:
IRF7321D2-ND
别名:*IRF7321D2
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7321D2TR
仓库库存编号:
IRF7321D2TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7324
仓库库存编号:
IRF7324-ND
别名:*IRF7324
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.6A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7326D2TR
仓库库存编号:
IRF7326D2CT-ND
别名:IRF7326D2CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
94-3449
仓库库存编号:
94-3449-ND
别名:*IRF7342
IRF7342
IRF7342-ND
SP001517810
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1
仓库库存编号:
IRF7353D1-ND
别名:*IRF7353D1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1TR
仓库库存编号:
IRF7353D1TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7379
仓库库存编号:
IRF7379-ND
别名:*IRF7379
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389
仓库库存编号:
IRF7389-ND
别名:*IRF7389
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807
仓库库存编号:
IRF7807-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7807D1
仓库库存编号:
IRF7807D1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D2
仓库库存编号:
IRF7807D2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TR
仓库库存编号:
IRF7807TR-ND
别名:SP001556108
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.6A(Ta) 3.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809
仓库库存编号:
IRF7809-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809A
仓库库存编号:
IRF7809A-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 14A(Ta) 3.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811
仓库库存编号:
IRF7811-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410
仓库库存编号:
IRF9410-ND
别名:*IRF9410
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9952
仓库库存编号:
IRF9952-ND
别名:*IRF9952
SP001563782
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9953
仓库库存编号:
IRF9953-ND
别名:*IRF9953
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9956
仓库库存编号:
IRF9956-ND
别名:*IRF9956
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004
仓库库存编号:
IRL1004-ND
别名:*IRL1004
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004S
仓库库存编号:
IRL1004S-ND
别名:*IRL1004S
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) TO-262
型号:
IRL3103L
仓库库存编号:
IRL3103L-ND
别名:*IRL3103L
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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