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IRF7807TR
IRF7807TR -
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRF7807TR
仓库库存编号:
IRF7807TR-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF7807TR产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
系列
HEXFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
17nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 7A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.3A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
IRF7807/A
标准包装
4,000
其它名称
SP001556108
IRF7807TRROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
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系列 HEXFET?
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包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 8-SO
Infineon Technologies 供应商器件封装 8-SO
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SO
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SO
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±12V
Infineon Technologies Vgs(最大值) ±12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 5V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 5V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7A,4.5V
Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7A,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta)
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 30V
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