规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(126)
分立半导体产品
(126)
筛选品牌
Infineon Technologies(44)
IXYS(33)
Microsemi Corporation(2)
Renesas Electronics America(5)
STMicroelectronics(40)
Vishay BC Components(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 180A（Tc） 360W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE180NE10
仓库库存编号：
497-3166-5-ND
别名：497-3166-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA180N055T
仓库库存编号：
IXTA180N055T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA180N085T
仓库库存编号：
IXTA180N085T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA180N085T7
仓库库存编号：
IXTA180N085T7-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH180N085T
仓库库存编号：
IXTH180N085T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 180A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP180N055T
仓库库存编号：
IXTP180N055T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP180N085T
仓库库存编号：
IXTP180N085T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ180N055T
仓库库存编号：
IXTQ180N055T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ180N085T
仓库库存编号：
IXTQ180N085T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N04TUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N04TUG-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N04TUJ-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N04TUJ-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N055TUJ-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N055TUJ-E1-AYTR-ND
别名：NP180N055TUJ-E1-AY-ND
NP180N055TUJ-E1-AYTR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N04TUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N04TUK-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N055TUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N055TUK-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 180A（Tc） 480W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FB180SA10P
仓库库存编号：
VS-FB180SA10P-ND
别名：VSFB180SA10P
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3716
仓库库存编号：
IRL3716-ND
别名：*IRL3716
Q1265959
SP001568284
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716S
仓库库存编号：
IRL3716S-ND
别名：*IRL3716S
Q1282555
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 180A（Tc） 330W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3207
仓库库存编号：
IRFSL3207-ND
别名：*IRFSL3207
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-262
型号：
IRL3716LPBF
仓库库存编号：
IRL3716LPBF-ND
别名：*IRL3716LPBF
SP001558060
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3716PBF
仓库库存编号：
IRL3716PBF-ND
别名：*IRL3716PBF
SP001558646
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716SPBF
仓库库存编号：
IRL3716SPBF-ND
别名：SP001568304
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716STRRPBF
仓库库存编号：
IRL3716STRRPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716STRLPBF
仓库库存编号：
IRL3716STRLPBF-ND
别名：SP001578504
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名：IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4010
仓库库存编号：
AUIRFS4010-ND
别名：SP001522400
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
