规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT38N60BC6
仓库库存编号：
APT38N60BC6-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247
型号：
STW40N95DK5
仓库库存编号：
497-17223-ND
别名：497-17223
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247 长引线
型号：
STWA40N95DK5
仓库库存编号：
497-17224-ND
别名：497-17224
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 38A
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB45N40DM2AG
仓库库存编号：
497-16133-1-ND
别名：497-16133-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 38A（Tc） 355W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT38F50J
仓库库存编号：
APT38F50J-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT8020LFLLG
仓库库存编号：
APT8020LFLLG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3518TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3518TRPBFCT-ND
别名：IRFR3518TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRF5210LPBF
仓库库存编号：
IRF5210LPBF-ND
别名：SP001564364
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号：
TSM170N06CP ROGTR-ND
别名：TSM170N06CP ROGTR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号：
TSM170N06CP ROGCT-ND
别名：TSM170N06CP ROGCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM170N06CP ROG
仓库库存编号：
TSM170N06CP ROGDKR-ND
别名：TSM170N06CP ROGDKR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 38A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 27W（Tc） DPAK
型号：
NVD5C684NLT4G
仓库库存编号：
NVD5C684NLT4GOSCT-ND
别名：NVD5C684NLT4GOSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 38A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 88W（Tc） DPAK
型号：
BUK9230-55A,118
仓库库存编号：
BUK9230-55A,118-ND
别名：934056243118
BUK9230-55A /T3
BUK9230-55A /T3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 1.6W（Ta），34W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH6R003NL,LQ
仓库库存编号：
TPH6R003NLLQCT-ND
别名：TPH6R003NLLQCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 38A（Tc） 94W（Tc） Power56
型号：
FDMS36101L_F085
仓库库存编号：
FDMS36101L_F085CT-ND
别名：FDMS36101L_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 38A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP38N15T
仓库库存编号：
IXTP38N15T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 38A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA38N15T
仓库库存编号：
IXTA38N15T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXKR40N60C
仓库库存编号：
IXKR40N60C-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMD40-06KC
仓库库存编号：
FMD40-06KC-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR44N60
仓库库存编号：
IXFR44N60-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 357W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT38M50J
仓库库存编号：
APT38M50J-ND
别名：APT38M50JMP
APT38M50JMP-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK38N80Q2
仓库库存编号：
IXFK38N80Q2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX38N80Q2
仓库库存编号：
IXFX38N80Q2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT8020B2LLG
仓库库存编号：
APT8020B2LLG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN38N80Q2
仓库库存编号：
IXFN38N80Q2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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