规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-08
IPB80N06S2-08-ND
SP000218830
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S209ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S209ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2H5ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5-ND
SP000218162
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L06ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L-06-ND
SP000218163
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L09ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L09ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-09
IPB80N06S2L-09-ND
SP000218743
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L11ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-11
IPB80N06S2L-11-ND
SP000218177
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号：
IPB80N06S2L-H5-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3-05
仓库库存编号：
IPB80N06S3-05-ND
别名：SP000102222
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD082N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
SP000485986
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80N06S3-09
仓库库存编号：
IPD80N06S3-09-ND
别名：SP000264473
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI057N08N3 G
仓库库存编号：
IPI057N08N3 G-ND
别名：SP000395182
SP000680662
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI070N06N G
仓库库存编号：
IPI070N06N G-ND
别名：SP000208612
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI070N08N3 G
仓库库存编号：
IPI070N08N3 G-ND
别名：SP000454290
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N04S307AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N04S307AKSA1-ND
别名：IPI70N04S3-07
IPI70N04S3-07-ND
SP000279551
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N03S4L04AKSA1-ND
别名：IPI80N03S4L-04
IPI80N03S4L-04-ND
SP000274983
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S204AKSA1-ND
别名：IPI80N04S2-04
IPI80N04S2-04-ND
SP000219058
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S2H4AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S2H4AKSA1-ND
别名：IPI80N04S2-H4
IPI80N04S2-H4-ND
SP000218171
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S304AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S304AKSA1-ND
别名：IPI80N04S3-04
IPI80N04S3-04-ND
SP000261226
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S306AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S306AKSA1-ND
别名：IPI80N04S3-06
IPI80N04S3-06-ND
SP000261237
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S207AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S207AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-ND
SP000218817
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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