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IPB80N06S2L07ATMA1
IPB80N06S2L07ATMA1 -
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
不再生产的版本 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IPB80N06S2L07ATMA1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
OptiMOS??
包装
带卷(TR)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
130nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6.7 毫欧 @ 60A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3160pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 150μA
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
IPB,IPP80N06S2L-07
标准包装
1,000
其它名称
IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867
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制造商 Infineon Technologies
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系列 OptiMOS??
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 已不再提供
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-3-2
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