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IPB80N06S2L07ATMA1 - 

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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Infineon Technologies IPB80N06S2L07ATMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IPB80N06S2L07ATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-TO263-3-2  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  130nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  6.7 毫欧 @ 60A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  80A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  3160pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 150μA  
  功率耗散(最大值)  210W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  55V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPB,IPP80N06S2L-07
标准包装 1,000
其它名称 IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867

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