规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 36A（Tc） 3.12W（Ta），166W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM36N20-54P-E3
仓库库存编号：
SUM36N20-54P-E3CT-ND
别名：SUM36N20-54P-E3CT
SUM36N2054PE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 150V 36A（Tc） 294W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA36P15_F109
仓库库存编号：
FQA36P15_F109-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 36A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD
型号：
IXTJ36N20
仓库库存编号：
IXTJ36N20-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS-220
详细描述：通孔 N 沟道 150V 36A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXTC62N15P
仓库库存编号：
IXTC62N15P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4324DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4324DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4324DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4324DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4438DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4438DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4438DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4438DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 36A（Tc） 3.12W（Ta），166W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP36N20-54P-E3
仓库库存编号：
SUP36N20-54P-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 36A（Tc） 2W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP40P10-43-GE3
仓库库存编号：
SUP40P10-43-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 60V 36A（Tc） 2W（Ta），32W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
2SJ673-AZ
仓库库存编号：
2SJ673-AZ-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
型号：
NP36P04KDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP36P04KDG-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 36A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP36P06SLG-E1-AY
仓库库存编号：
NP36P06SLG-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
型号：
NP36P06KDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
别名：NP36P06KDG-E1-AYCT
NP36P06KDGE1AY
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 36A（Tc） 2.1W（Ta），41.7W（Tc） TO-252AA
型号：
SUD45P04-16P-GE3
仓库库存编号：
SUD45P04-16P-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 18.8W（Ta）, 125W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM50P10-42-E3
仓库库存编号：
SUM50P10-42-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 36A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ48N
仓库库存编号：
IRFIZ48N-ND
别名：*IRFIZ48N
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
型号：
IRL540NL
仓库库存编号：
IRL540NL-ND
别名：*IRL540NL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3714
仓库库存编号：
IRLR3714-ND
别名：*IRLR3714
SP001558928
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3714
仓库库存编号：
IRLU3714-ND
别名：*IRLU3714
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714S
仓库库存编号：
IRL3714S-ND
别名：*IRL3714S
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） TO-262
型号：
IRL3714L
仓库库存编号：
IRL3714L-ND
别名：*IRL3714L
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714STR
仓库库存编号：
IRL3714STR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714STRL
仓库库存编号：
IRL3714STRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714STRR
仓库库存编号：
IRL3714STRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）,
含铅
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