SUM50P10-42-E3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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SUM50P10-42-E3
SUM50P10-42-E3 -
MOSFET P-CH 100V 36A D2PAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SUM50P10-42-E3
仓库库存编号:
SUM50P10-42-E3-ND
描述:
MOSFET P-CH 100V 36A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 18.8W(Ta), 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SUM50P10-42-E3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-263(D2Pak)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
160nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.2 毫欧 @ 14A, 10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
36A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4600pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
18.8W(Ta), 125W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
标准包装
800
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制造商 Vishay Siliconix
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安装类型 表面贴装
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供应商器件封装 TO-263(D2Pak)
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 100V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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