规格：FET 类型 P 沟道,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 5.3A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9010TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR9010TRLPBF-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9014TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR9014TRLPBF-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 40A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
型号：
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ40S04M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ40S04M3L(T6L1NQ
TJ40S04M3LT6L1NQ
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDFMA2P857
仓库库存编号：
FDFMA2P857CT-ND
别名：FDFMA2P857CT
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
型号：
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ30S06M3L(T6L1NQ
TJ30S06M3LT6L1NQ
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 450V 45mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP0545ASTZ
仓库库存编号：
ZVP0545ASTZ-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9110TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR9110TRLPBF-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9110TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR9110TRRPBF-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7423DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7423DN-T1-GE3-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5116PLWFTWG
仓库库存编号：
NVTFS5116PLWFTWG-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TP0606N3-G-P002
仓库库存编号：
TP0606N3-G-P002-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TP0606N3-G-P003
仓库库存编号：
TP0606N3-G-P003-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
型号：
RRH100P03TB1
仓库库存编号：
RRH100P03TB1CT-ND
别名：RRH100P03TB1CT
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 30A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7159DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7159DP-T1-GE3-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSS075P03FU6TB
仓库库存编号：
RSS075P03FU6TB-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9214PBF
仓库库存编号：
IRFU9214PBF-ND
别名：*IRFU9214PBF
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 20A（Ta） 20W（Tc） TCPT3
型号：
RZY200P01TL
仓库库存编号：
RZY200P01TLCT-ND
别名：RZY200P01TLCT
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 22A（Tc） 7W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4483BEEY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4483BEEY-T1_GE3-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 85A（Ta） 1.5W（Ta） 8-HVSON（5.4x5.15）
型号：
UPA2739T1A-E2-AY
仓库库存编号：
UPA2739T1A-E2-AY-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 8-SOIC
型号：
RRS100P03TB1
仓库库存编号：
RRS100P03TB1-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9210PBF
仓库库存编号：
IRFU9210PBF-ND
别名：*IRFU9210PBF
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5116PLWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS5116PLWFTAG-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 18A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4425EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4425EY-T1_GE3-ND
规格：FET 类型 P 沟道,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
型号：
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ50S06M3L(T6L1NQ
TJ50S06M3LT6L1NQ
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
型号：
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ60S04M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ60S04M3L(T6L1NQ
TJ60S04M3LT6L1NQ
规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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