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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：MTB30P06VT4G
  仓库库存编号：MTB30P06VT4GOSCT-ND
  别名：MTB30P06VT4GOSCT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 4.6A（Ta） 970mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS1135PT1G
  仓库库存编号：NTGS1135PT1G-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1067X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1067X-T1-GE3-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Tc） 3.3W（Ta），15W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA443DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA443DJ-T1-GE3-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
  
  型号：SIA811DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA811DJ-T1-GE3-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1051X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1051X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1051X-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1073X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1073X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1073X-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 5.4A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2305ADS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2305ADS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2305ADS-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7601DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7601DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7601DN-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA417DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA417DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA417DJ-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA419DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA419DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA419DJ-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB413DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB413DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB413DK-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB415DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB415DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB415DK-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB417DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB417DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB417DK-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 9A（Tc） 2.45W（Ta），13.1W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB419DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB419DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB419DK-T1-GE3CT
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6104(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6104(TE85L,F,M)-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6107(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6107(TE85L,F,M)-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 8A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8110(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8110(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8111(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8111(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8113(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8113(TE12L,Q)-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8115(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8115(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8102(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8102(TE12L,Q,M-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8103(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8103(TE12L,Q,M-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 6A（Ta） 1.6W（Ta），20W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8105(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8105(TE12L,Q,M-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8102(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8102(TE85L,F,M-ND
  
  规格：FET 类型 P 沟道,
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