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TPCA8103(TE12L,Q,M - 

MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV

  • 已过时的产品。
Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8103(TE12L,Q,M
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TPCA8103(TE12L,Q,M
仓库库存编号:
TPCA8103(TE12L,Q,M-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 30V 40A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TPCA8103(TE12L,Q,M产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SOP Advance(5x5)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  184nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  4.2 毫欧 @ 20A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4V,10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  40A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  7880pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  1.6W(Ta),45W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
标准包装 3,000

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