规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS407DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS407DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS407DN-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Tc) 4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4866BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866BDY-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Ta),56A(Tc) 2.3W(Ta),30W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC6688P
仓库库存编号:
FDMC6688PCT-ND
别名:FDMC6688PCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Ta),56A(Tc) 2.3W(Ta),40W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC6686P
仓库库存编号:
FDMC6686PCT-ND
别名:FDMC6686PCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4465ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4465ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4465ADY-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ370UNEYL
仓库库存编号:
1727-2321-1-ND
别名:1727-2321-1
568-12607-1
568-12607-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV50UPE,215
仓库库存编号:
1727-1377-1-ND
别名:1727-1377-1
568-10836-1
568-10836-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB290UNE,315
仓库库存编号:
1727-1378-1-ND
别名:1727-1378-1
568-10840-1
568-10840-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMCM4401UPE/NONE/REEL 7" Q1/T1
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 400mW(Ta), 12.5W(Tc) 4-WLCSP(0.78x0.78)
型号:
PMCM4401UPEZ
仓库库存编号:
568-13302-1-ND
别名:568-13302-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Ta) 400mW(Ta), 12.5W(Tc) 4-WLCSP(2x2)
型号:
PMCM4401VPEZ
仓库库存编号:
1727-2687-1-ND
别名:1727-2687-1
568-13206-1
568-13206-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 490mW(Ta), 4.15W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV27UPEAR
仓库库存编号:
1727-2529-1-ND
别名:1727-2529-1
568-12968-1
568-12968-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB33XP,115
仓库库存编号:
1727-1240-1-ND
别名:1727-1240-1
568-10445-1
568-10445-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT1220
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.4A (Ta) 470mW(Ta) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB12UNEX
仓库库存编号:
1727-2703-1-ND
别名:1727-2703-1
568-13222-1
568-13222-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 480mA(Ta) 350mW(Ta) DFN1006-3
型号:
PMZ1000UN,315
仓库库存编号:
1727-5860-1-ND
别名:1727-5860-1
568-7439-1
568-7439-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.2A(Ta) 556mW(Ta), 12.5W(Tc) 6-WLCSP(1.48x.98)
型号:
PMCM6501VPEZ
仓库库存编号:
1727-2689-1-ND
别名:1727-2689-1
568-13208-1
568-13208-1-ND
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7410GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7410GTRPBFCT-ND
别名:IRF7410GTRPBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.5A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7420TRPBF
仓库库存编号:
IRF7420PBFCT-ND
别名:*IRF7420TRPBF
IRF7420PBFCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 500mW(Ta) 9-DSBGA
型号:
CSD25202W15T
仓库库存编号:
296-37964-1-ND
别名:296-37964-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 380mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN62D0U-7
仓库库存编号:
DMN62D0U-7DICT-ND
别名:DMN62D0U-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23381F4T
仓库库存编号:
296-37782-1-ND
别名:296-37782-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN306P
仓库库存编号:
FDN306PCT-ND
别名:FDN306P_F095CT
FDN306P_F095CT-ND
FDN306PCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB433EDK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB433EDK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB433EDK-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 400mW(Ta) DFN1006-3
型号:
RV2C014BCT2CL
仓库库存编号:
RV2C014BCT2CLCT-ND
别名:RV2C014BCT2CLCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1413EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1413EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1413EDH-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 450mA(Ta) 100mW(Ta) SOT-883VL
型号:
CEDM8004 TR
仓库库存编号:
CEDM8004 CT-ND
别名:CEDM8004 CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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