PMV50UPE,215,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMV50UPE,215
PMV50UPE,215 -
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMV50UPE,215
仓库库存编号:
1727-1377-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMV50UPE,215产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
15.7nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
66 毫欧 @ 3.2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
24pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
PMV50UPE
标准包装
1
其它名称
1727-1377-1
568-10836-1
568-10836-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 490mW(Ta), 4.63W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV50XPR
仓库库存编号:
1727-2309-1-ND
别名:1727-2309-1
568-12595-1
568-12595-1-ND
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±8V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.7nC @ 4.5V
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FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24pF @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 24pF @ 10V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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