规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 340mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
2N7002K,215
仓库库存编号：
568-4984-1-ND
别名：568-4984-1
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 6A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3K315T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3K315T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3K315T(T5LFT)CT
SSM3K315T(T5LFT)CT-ND
SSM3K315T(TE85L)CT
SSM3K315T(TE85L)CT-ND
SSM3K315T(TE85LF)CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 37A IPAK TRIMMED
详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.2A（Ta），37A（Tc） 1.37W（Ta），27.3W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4910N-35G
仓库库存编号：
NTD4910N-35G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 37A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.2A（Ta），37A（Tc） 1.37W（Ta），27.3W（Tc） DPAK
型号：
NTD4910NT4G
仓库库存编号：
NTD4910NT4G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.7A（Ta），32A（Tc） 1.36W（Ta），24W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4913N-1G
仓库库存编号：
NTD4913N-1G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED
详细描述：通孔 N 沟道 30V 7.7A（Ta），32A（Tc） 1.36W（Ta），24W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4913N-35G
仓库库存编号：
NTD4913N-35G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.7A（Ta），32A（Tc） 1.36W（Ta），24W（Tc） DPAK
型号：
NTD4913NT4G
仓库库存编号：
NTD4913NT4G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 19A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
型号：
NTD6416ANL-1G
仓库库存编号：
NTD6416ANL-1GOS-ND
别名：NTD6416ANL-1G-ND
NTD6416ANL-1GOS
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Ta） 680mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4840NR2G
仓库库存编号：
NTMS4840NR2G-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta），46A（Tc） 840mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4941NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4941NTAG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta），41A（Tc） 840mW（Ta），22.3W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4943NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4943NTAG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta），41A（Tc） 840mW（Ta），22.3W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4943NTWG
仓库库存编号：
NTTFS4943NTWG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta），34A（Tc） 890mW（Ta），20W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4945NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4945NTAG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta），34A（Tc） 890mW（Ta），20W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4945NTWG
仓库库存编号：
NTTFS4945NTWG-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.6A（Ta） 1.43W（Ta） 8-SOP
型号：
DMG8880LSS-13
仓库库存编号：
DMG8880LSS-13DICT-ND
别名：DMG8880LSS-13DICT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 6A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 6A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
DMN4027SSS-13
仓库库存编号：
DMN4027SSS-13CT-ND
别名：DMN4027SSS-13CT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.1A（Ta），44A（Tc） 1.1W（Ta），35.7W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4963N-35G
仓库库存编号：
NTD4963N-35GOS-ND
别名：NTD4963N-35G-ND
NTD4963N-35GOS
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
型号：
TPCC8001-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCC8001-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCC8001-H(TE12LQMCT
TPCC8001HTE12LQM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
型号：
TPCC8002-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCC8002-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCC8002-H(TE12LQMCT
TPCC8002HTE12LQM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON
型号：
TPCC8003-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCC8003-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCC8003-H(TE12LQMCT
TPCC8003HTE12LQM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
型号：
TPCC8005-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCC8005-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCC8005-H(TE12LQMCT
TPCC8005HTE12LQM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON
型号：
TPCC8006-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCC8006-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCC8006-H(TE12LQMCT
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
型号：
TPCC8A01-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCC8A01-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCC8A01-H(TE12LQMCT
TPCC8A01HTE12LQM
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
型号：
TPCP8004(TE85L,F)
仓库库存编号：
TPCP8004(TE85LF)CT-ND
别名：TPCP8004(TE85LF)CT
TPCP8004TE85LF
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
型号：
HAT1072H-EL-E
仓库库存编号：
HAT1072H-EL-E-ND
规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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