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NTD4913N-35G - 

MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NTD4913N-35G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTD4913N-35G
仓库库存编号:
NTD4913N-35G-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 30V 7.7A(Ta),32A(Tc) 1.36W(Ta),24W(Tc) I-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTD4913N-35G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短截引线,IPak  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  I-Pak  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  13nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  10.5 毫欧 @ 30A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  7.7A(Ta),32A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1013pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.2V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  1.36W(Ta),24W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 NTD4913N
标准包装 75

NTD4913N-35G相关搜索

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