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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
型号:
AON3816
仓库库存编号:
785-1132-2-ND
别名:785-1132-2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
型号:
AON3814
仓库库存编号:
AON3814-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta),63A(Tc) 1.4W(Ta),54.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4808N-1G
仓库库存编号:
NTD4808N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4264E
仓库库存编号:
AO4264E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 19A TO251B
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Ta) 59.5W(Tc) TO-251B
型号:
AOY2610E
仓库库存编号:
AOY2610E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 64A(Tc) 46W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC065N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC065N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385614
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 24V 11.4A 1.7W Surface Mount PlnPAK
型号:
NTL4502NT1
仓库库存编号:
NTL4502NT1OS-ND
别名:NTL4502NT1OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 20V 16A(Ta) 37.5W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP4020P
仓库库存编号:
FDP4020P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 16A(Ta) 37.5W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB4020P
仓库库存编号:
FDB4020P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.5A(Ta) 1.8W(Ta) 9-BGA(2x2.1)
型号:
FDZ204P
仓库库存编号:
FDZ204P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 2W(Ta) 12-BGA(2x2.5)
型号:
FDZ202P
仓库库存编号:
FDZ202P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.6A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS4159NT1G
仓库库存编号:
NTLJS4159NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.6A(Ta) 1.7W(Ta) 9-BGA(1.5x1.6)
型号:
FDZ291P
仓库库存编号:
FDZ291PCT-ND
别名:FDZ291PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 10A(Ta),63A(Tc) 1.4W(Ta),54.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4808N-35G
仓库库存编号:
NTD4808N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta),63A(Tc) 1.4W(Ta),54.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD4808NT4G
仓库库存编号:
NTD4808NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.4W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4809N-1G
仓库库存编号:
NTD4809N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.4W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4809N-35G
仓库库存编号:
NTD4809N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4809NA-1G
仓库库存编号:
NTD4809NA-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4809NA-35G
仓库库存编号:
NTD4809NA-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.6A(Ta),58A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) DPAK
型号:
NTD4809NAT4G
仓库库存编号:
NTD4809NAT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST
型号:
TT8J1TR
仓库库存编号:
TT8J1TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.9A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2321DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2321DS-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.9A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2321DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2321DS-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5W(Ta),40.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-16P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-16P-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5W(Ta),40.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-16P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-16P-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V,
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