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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 630mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NVLUS4C12NTAG
仓库库存编号:
NVLUS4C12NTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta), 55W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C456NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C456NLT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta), 55W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C456NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C456NLT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta), 55W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C456NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C456NLWFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6W(Ta), 55W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C456NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C456NLWFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
FDD8N50NZTM
仓库库存编号:
FDD8N50NZTMTUBE-ND
别名:FDD8N50NZTMTUBE
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) DPAK
型号:
NDD60N550U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N550U1T4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.2A(Tc) 94W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD60N550U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N550U1-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.6A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU220_R4941
仓库库存编号:
IRFU220FS-ND
别名:IRFU220_R4941-ND
IRFU220FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS3812
仓库库存编号:
FDS3812-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7.6A(Tc) 2.5W(Ta),51W(Tc) I-Pak
型号:
FQU10N20TU
仓库库存编号:
FQU10N20TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 10A(Tc) 87W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP10N20
仓库库存编号:
FQP10N20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.6A(Tc) 2.5W(Ta),51W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20TF
仓库库存编号:
FQD10N20TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.6A(Tc) 2.5W(Ta),51W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20TM
仓库库存编号:
FQD10N20TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N20
仓库库存编号:
FQPF10N20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 10A(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB10N20TM
仓库库存编号:
FQB10N20TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 35A(Tc) 39W(Tc) TO-251
型号:
FDU8778
仓库库存编号:
FDU8778-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.8A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMDF3N02HDR2
仓库库存编号:
MMDF3N02HDR2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC3512_F095
仓库库存编号:
FDC3512_F095-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7.6A(Tc) 2.5W(Ta),51W(Tc) I-Pak
型号:
FQU10N20TU_AM002
仓库库存编号:
FQU10N20TU_AM002-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3.8A(Tc) D-Pak
型号:
IRFR224BTM_TC002
仓库库存编号:
IRFR224BTM_TC002-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.3A(Tc) 2.5W(Ta),41W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420BTM
仓库库存编号:
IRFR420BTM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.8A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMDF3N02HDR2G
仓库库存编号:
MMDF3N02HDR2GOSCT-ND
别名:MMDF3N02HDR2GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 27W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF03N60ZG
仓库库存编号:
NDF03N60ZGOS-ND
别名:NDF03N60ZG-ND
NDF03N60ZGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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