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IRFR224BTM_TC002
IRFR224BTM_TC002 -
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
IRFR224BTM_TC002
仓库库存编号:
IRFR224BTM_TC002-ND
描述:
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 250V 3.8A(Tc) D-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFR224BTM_TC002产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
D-Pak
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
18nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.1 欧姆 @ 1.9A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.8A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
450pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
-
漏源电压(Vdss)
250V
关键词
产品资料
标准包装
2,500
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -
系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 带卷(TR)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 D-Pak
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D-Pak
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.1 欧姆 @ 1.9A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.1 欧姆 @ 1.9A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 250V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
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