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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC655BN
仓库库存编号:
FDC655BNCT-ND
别名:FDC655BNCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 36W(Tc) DPAK
型号:
NTD5867NLT4G
仓库库存编号:
NTD5867NLT4GOSCT-ND
别名:NTD5867NLT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT2955
仓库库存编号:
NDT2955CT-ND
别名:NDT2955CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT3055
仓库库存编号:
NDT3055CT-ND
别名:NDT3055CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6982AS
仓库库存编号:
FDS6982ASCT-ND
别名:FDS6982ASCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Ta),16A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) Power56
型号:
FDMS86252
仓库库存编号:
FDMS86252CT-ND
别名:FDMS86252CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
SI4532DY
仓库库存编号:
SI4532DYCT-ND
别名:SI4532DYCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3692
仓库库存编号:
FDS3692CT-ND
别名:FDS3692CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N90TM
仓库库存编号:
FQD2N90TMCT-ND
别名:FQD2N90TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4.5A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS3992
仓库库存编号:
FDS3992CT-ND
别名:FDS3992CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.8A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD20N06TM
仓库库存编号:
FQD20N06TMCT-ND
别名:FQD20N06TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM
仓库库存编号:
FQD8P10TMCT-ND
别名:FQD8P10TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD12N06RLESM9A
仓库库存编号:
RFD12N06RLESM9ACT-ND
别名:RFD12N06RLESM9ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N90
仓库库存编号:
FQP2N90FS-ND
别名:FQP2N90-ND
FQP2N90FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N50T
仓库库存编号:
FDPF5N50T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 3.3W(Ta),43W(Tc) DPAK
型号:
SVD5867NLT4G
仓库库存编号:
SVD5867NLT4GOSCT-ND
别名:NVD5867NLT4GOSCT
NVD5867NLT4GOSCT-ND
SVD5867NLT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.8W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-150T4G
仓库库存编号:
NTD3055-150T4GOSCT-ND
别名:NTD3055-150T4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU8P10TU
仓库库存编号:
FQU8P10TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76409D3ST
仓库库存编号:
HUFA76409D3STCT-ND
别名:HUFA76409D3STCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_F085
仓库库存编号:
FQD8P10TM_F085CT-ND
别名:FQD8P10TM_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
FDS86252
仓库库存编号:
FDS86252CT-ND
别名:FDS86252CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N90TU_WS
仓库库存编号:
FQU2N90TU_WS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N90TU_AM002
仓库库存编号:
FQU2N90TU_AM002-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6900AS
仓库库存编号:
FDS6900ASCT-ND
别名:FDS6900ASCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta),14A(Tc) 3.1W(Ta),41W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3502
仓库库存编号:
FDB3502CT-ND
别名:FDB350CT
FDB350CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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