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FQU8P10TU - 

MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

Fairchild/ON Semiconductor FQU8P10TU
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQU8P10TU
仓库库存编号:
FQU8P10TU-ND
描述:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQU8P10TU产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  QFET?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  I-Pak  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  15nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  530 毫欧 @ 3.3A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  6.6A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  470pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.5W(Ta),44W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 FQD8P10, FQU8P10
标准包装 70

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