规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(220)
分立半导体产品
(220)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (17)
Infineon Technologies (44)
IXYS (15)
Microsemi Corporation (15)
Nexperia USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (32)
ON Semiconductor (5)
Renesas Electronics America (6)
Rohm Semiconductor (9)
STMicroelectronics (30)
Toshiba Semiconductor and Storage (8)
Vishay Siliconix (37)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 1.8W(Ta),85W(Tc) TO-263
型号:
NP48N055KLE-E1-AY
仓库库存编号:
NP48N055KLE-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-220
型号:
NP60N04MUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04MUG-S18-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP80N04KHE-E1-AY
仓库库存编号:
NP80N04KHE-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-220-3
型号:
NP80N055MHE-S18-AY
仓库库存编号:
NP80N055MHE-S18-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7424
仓库库存编号:
AON7424-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 9A(Ta),127A(Tc) 1.9W(Ta),417W(Tc) TO-220
型号:
AOT474
仓库库存编号:
AOT474-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 30V 45A(Ta),70A(Tc) 7.5W(Ta),60W(Tc) TO-251A
型号:
AOI510
仓库库存编号:
785-1487-1-ND
别名:785-1487-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 36A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Ta),36A(Tc) 4.2W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6506
仓库库存编号:
785-1496-1-ND
别名:785-1496-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 40A(Tc) 3.75W(Ta),107W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40N10-30-E3
仓库库存编号:
SUP40N10-30-E3-ND
别名:SUP40N10-30-E3CT
SUP40N10-30-E3CT-ND
SUP40N1030E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
JAN2N7236
仓库库存编号:
JAN2N7236-ND
别名:JAN2N7236-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
JAN2N7236U
仓库库存编号:
JAN2N7236U-ND
别名:JAN2N7236U-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
型号:
JAN2N7334
仓库库存编号:
JAN2N7334-ND
别名:JAN2N7334-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
JANTX2N7236
仓库库存编号:
JANTX2N7236-ND
别名:JANTX2N7236-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
JANTX2N7236U
仓库库存编号:
JANTX2N7236U-ND
别名:JANTX2N7236U-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
型号:
JANTX2N7334
仓库库存编号:
JANTX2N7334-ND
别名:JANTX2N7334-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
JANTXV2N7236
仓库库存编号:
JANTXV2N7236-ND
别名:JANTXV2N7236-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
JANTXV2N7236U
仓库库存编号:
JANTXV2N7236U-ND
别名:JANTXV2N7236U-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
型号:
JANTXV2N7334
仓库库存编号:
JANTXV2N7334-ND
别名:JANTXV2N7334-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-254AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
2N7236
仓库库存编号:
2N7236-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V SMD1
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
2N7236U
仓库库存编号:
2N7236U-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
型号:
2N7334
仓库库存编号:
2N7334-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta),48W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6774
仓库库存编号:
785-1672-1-ND
别名:785-1672-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 150V 106A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 16A(Ta), 106A(Tc) 6.2W(Ta),277W(Tc) TO-262
型号:
AOW2502
仓库库存编号:
785-1728-5-ND
别名:785-1728-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 35A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta), 113.5W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6232A
仓库库存编号:
785-1738-1-ND
别名:785-1738-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 23A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 23A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD240_001
仓库库存编号:
AOD240_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号